Samsung は来年にもフラッグシップスマートフォン Galaxy S25 シリーズを発売する予定で、これまでに早々と多くの情報がリークされています。Galaxy S25+ は、ベースモデルの Galaxy S25 と最上位の Galaxy S25 Ultra の中間に位置するモデルで、この機種についてもいくつかのリークがありますが、今回は Galaxy S25+ の米国向けモデルが Geekbench に登場していることが発見され、Snapdagon 8 Gen 4 を搭載することとそのベンチマークスコアが報告されました。
この報告は 91mobiles によるもので、Galaxy S25+ の米国向けを示す SM-S936U という型番のデバイスが Geekbench に掲載していることを発見しました。このデバイスは2つの 4.19GHzで動作するコアと2.90GHzで動作する6つのコアを搭載しており、Adreno 830 GPU も含まれていることから、おそらく10月に正式発表される Qualcomm Snapdagon 8 Gen 4 を搭載しているものと思われます。
今回発見された Galaxy S25+ のベンチマークは、シングルコアが3,054、マルチコアが9,224となっており、12GBRAM を搭載し、Android 15 を実行していることが確認されました。なお、先日には最上位の Galaxy S25 Ultra のベンチマークも Geekbench で発見されていますが、Galaxy S25+ のスコアとほぼ変わらないようです、
以前、Samsung は MediaTek のチップセットも検討していることや Exynos のみを全モデルに採用するといった噂もありましたが、最終的に今回は全モデルに Qualcomm Snapdagon 8 Gen 4 が採用される可能性があるといった状況に落ち着いています。
これまでの噂では、Galaxy S25+ はチップセットを除くと前世代 Galaxy S24+ から大きな変更はないと言われています。
